具有背侧重分布层的半导体装置及其制造方法

摘要

本实施例系关于一种具有一背侧重分布层之半导体装置(50)及一种形成该层之方法。特定言之，一实施例包括提供(32)一基板(52)，该基板包含一于其中所形成之通道(54)。基板(52)具有一前侧(58)及一背侧(60)。该实施例可进一步包括：在该基板(52)之背侧(60)上形成(34)一沟槽(90)，于该沟槽(90)中安置(36)一绝缘材料(100)，且在该沟槽(90)中之该绝缘材料(100)上形成(38)一线(130)。