薄膜形成方法

摘要

〔课题〕提供一种：在藉由反应性溅镀而形成氧化物膜时，就算是当在下一工程中会进行以CVD法所致之薄膜形成一般的情况时，亦能够防止在氧化物膜与基板间之界面附近处的氧浓度之降低，而不会导致基板与氧化物膜间之密着强度的下降之薄膜形成方法。〔解决手段〕当一面将溅镀气体以及反应气体导入至真空氛围中之溅镀室11a内，一面对于在溅镀室内而与应处理之基板S作对向配置的标靶41a乃至41h投入电力，而藉由电浆氛围中之离子来对标靶作溅镀，以藉由反应性溅镀来在基板表面上形成特定的薄膜之情况时，在直到薄膜达到了特定之膜厚为止的期间中，形成反应气体成分之含有浓度为高之区域。