可程式化磁性唯读记忆体（ＭＲＯＭ）

摘要

在一个实施例中，提供了一种用于程式化一具有磁电阻记忆体元件作为储存元件之记忆体装置的方法。该方法在记忆体装置的制造期间执行，且可用于实现磁性唯读记忆体(MROM)装置。根据该方法，在包含复数个磁电阻记忆体元件(MRME)诸如MTJ之记忆体装置的制造期间，记忆体装置系藉由选择性地控制装置中在字线(WL)与位元线(BL)的每一相交点之磁电阻元件的存在与否而程式化。