多重等级相位改变记忆体装置及相关的方法

摘要

本发明提供一种相位改变记忆体装置及其读取方法。一相位改变记忆体装置之一实例实施例可包括：主单元，其经程式化以具有分别对应于多位元资料之复数个电阻状态中之任一者；参考单元，其每当该等主单元经程式化时便经程式化以具有在该等电阻状态当中之至少两个分别不同之电阻状态；及一参考电压产生电路，其感测该等参考单元，以产生用于识别该等电阻状态中之每一者的参考电压。