使用电浆ＣＶＤ形成碳聚合物膜的方法

摘要

一种藉由电容式偶合电浆化学气相沉积装置在半导体基板上形成含烃聚合物膜之方法。此方法包括以下步骤：蒸发沸点在大约20℃至大约350℃之含烃液态单体(C#sB!α#eB!H#sB!β#eB!X#sB!γ#eB!，其中α和β为大于等于５的自然数；γ为包括零的整数；Ｘ为Ｏ、Ｎ和Ｆ)；将蒸发的气体引入至内部置放有基板的化学气相沉积反应腔室内；以及藉由电浆聚合此气体在所述基板上形成含烃聚合物膜。此液态单体是不饱和的且不具有苯结构。