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发明名称
于半导体元件中形成隔离层的方法
摘要
一种用以在一半导体元件中形成一隔离层之方法包括形成一沟槽于一半导体基板中。形成一可流动绝缘层,以填充该沟槽。使该可流动绝缘层凹陷。在该可流动绝缘层上沉积一埋入式绝缘层,同时保持一沉积溅镀比率(DSR)于约22以下,以便以该埋入式绝缘层填充该沟槽,同时限制该埋入式绝缘层在该沟槽之侧面部分上的成长。
申请公布号
TW200913132
申请公布日期
2009.03.16
申请号
TW097107640
申请日期
2008.03.05
申请人
海力士半导体股份有限公司
发明人
银炳秀
分类号
H01L21/762(2006.01)
主分类号
H01L21/762(2006.01)
代理机构
代理人
何金涂;丁国隆
主权项
地址
南韩
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