发明名称 发光二极体结构及其制造方法
摘要 一种发光二极体结构及制造方法,系将该基板放置于一溶液内进行反应,使其切割道区域的表面自然形成一化学反应层,然后透过选择性蚀刻,使切割道区域的表面形成复数个凹部与凸部,再利用磊晶成长技术,成长一半导体层结构于该基板表面的元件区域与切割道区域;然后再利用黄光微影制程,使元件区域上的半导体层结构形成发光二极体元件。
申请公布号 TW200913312 申请公布日期 2009.03.16
申请号 TW096134333 申请日期 2007.09.14
申请人 泰谷光电科技股份有限公司 发明人 林宏诚;李家铭;綦振瀛
分类号 H01L33/00(2006.01) 主分类号 H01L33/00(2006.01)
代理机构 代理人 黄志扬
主权项
地址 南投县南投市自强三路18号