发明名称 | 发光二极体结构及其制造方法 | ||
摘要 | 一种发光二极体结构及制造方法,系将该基板放置于一溶液内进行反应,使其切割道区域的表面自然形成一化学反应层,然后透过选择性蚀刻,使切割道区域的表面形成复数个凹部与凸部,再利用磊晶成长技术,成长一半导体层结构于该基板表面的元件区域与切割道区域;然后再利用黄光微影制程,使元件区域上的半导体层结构形成发光二极体元件。 | ||
申请公布号 | TW200913312 | 申请公布日期 | 2009.03.16 |
申请号 | TW096134333 | 申请日期 | 2007.09.14 |
申请人 | 泰谷光电科技股份有限公司 | 发明人 | 林宏诚;李家铭;綦振瀛 |
分类号 | H01L33/00(2006.01) | 主分类号 | H01L33/00(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | 黄志扬 | |
主权项 | |||
地址 | 南投县南投市自强三路18号 |