半导体元件的制造方法

摘要

一种半导体元件的制造方法。提供基底，其包括记忆胞区与周边电路区。基底上已依序形成有第一导体层与罩幕层。接着，移除部分之第一导体层、罩幕层及基底，以形成多个隔离结构，且记忆胞区之隔离结构的密度大于周边电路区之隔离结构的密度。然后，移除残留于记忆胞区之罩幕层。接着，图案化残留于周边电路区之罩幕层，以形成图案化罩幕层。图案化罩幕层的密度约等于记忆胞区之隔离结构的密度。之后，于基底上形成第二导体层。接着，进行平坦化制程，移除部分第二导体层，至暴露出隔离结构之表面。