发明名称 用于防止高电压记忆体干扰之方法及电路
摘要 本发明揭示一种降低由于两个供应电压之一下降至一预定值以下导致的一记忆体阵列(12)中之干扰的电路及方法。使用一逻辑功率域操作记忆体控制逻辑(22)。产生比该逻辑功率域之电压更高的电压以回应一振荡器(18)之震荡。将该等更高电压用于操作该记忆体阵列(12)。当该逻辑功率域至少处于一第一位准或值时,使用该记忆体控制逻辑(22)来控制该振荡器(18)之操作。当该逻辑功率域低于该第一位准时,停用该振荡器(18)。该振荡器(18)之该停用具有防止该等更高电压之产生的效应。此有助于当不能正确控制该等更高电压时防止其到达该记忆体阵列(12)。
申请公布号 TW200912954 申请公布日期 2009.03.16
申请号 TW097126814 申请日期 2008.07.15
申请人 飞思卡尔半导体公司 发明人 琼S 裘伊;延佐 王
分类号 G11C7/24(2006.01) 主分类号 G11C7/24(2006.01)
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 美国