半导体装置的制造方法

摘要

本发明提供一种半导体装置的制造方法，包括提供一半导体基板，其具有一元件区域和一测试键区域；于上述元件区域形成凹陷于一第一沟槽的第一沟槽电容，且于上述测试键区域形成凹陷于一第二沟槽的一第二沟槽电容；分别于上述第一沟槽和上述第二沟槽中顺应性形成一导电层，其具有一第一蚀刻选择比；形成一图案化罩幕层且覆盖于上述第二沟槽；沿一方向进行一离子植入制程，以于上述第一沟槽中的部分上述导电层中掺杂掺质，其中具有掺质之上述第一沟槽中的部分上述导电层具有一第二蚀刻选择比，高于上述第一蚀刻选择比。