| 摘要 |
本发明提供一种用于形成一半导体装置之方法，该方法包括：在一基板上形成一蚀刻目标层；在该蚀刻目标层上形成一第一蚀刻终止层；在该第一蚀刻终止层上形成一第二蚀刻终止层；在该第二蚀刻终止层上形成一第一牺牲层；藉由选择性地蚀刻该第一牺牲层来形成第一牺牲图形；在该第二蚀刻终止层及该等第一牺牲图形上形成第二牺牲层；蚀刻该第二牺牲层及该第二蚀刻终止层，直至曝光该等第一牺牲图形且该第二牺牲层仅保留于该等第一牺牲图形之侧壁上；移除该等经曝光之第一牺牲图形；蚀刻该经曝光之第二蚀刻终止层光罩以界定复数个第一结构；蚀刻该第一蚀刻终止层；及蚀刻该蚀刻目标层。 |
