非挥发性记忆体装置及其制造方法

摘要

本发明提供一种非挥发性记忆体装置的制造方法，包括提供一基板；于上述基板上依序形成一穿隧绝缘层和一第一导电层；于上述第一导电层和上述穿隧绝缘层中形成一沟槽，并从上述沟槽中暴露出部分上述基板；于上述沟槽中顺应性形成一第一绝缘层；于上述第一绝缘层的侧壁上形成一第二绝缘层；于上述沟槽中顺应性形成一第三绝缘层，并覆盖上述沟槽底部的上述第一绝缘层和上述沟槽侧壁的上述第二绝缘层，其中位于上述沟槽侧壁的上述第三绝缘层的厚度小于位于上述沟槽底部的上述第三绝缘层的厚度；于上述沟槽之上述第三绝缘层上形成一控制闸极。