同时制作选择性薄膜和侧壁子的方法与结构

摘要

本发明提供一种同时制作选择性薄膜和侧壁子的方法，首先提供一半导体基底，其上定义有一第一元件区和一第二元件区，且该第二元件区包含至少一闸极；接着于该半导体基底上形成至少一介电材料，且该介电材料会覆盖该第一元件区和该第二元件区；然后形成一图案化遮罩，覆盖该第一元件区中部分的该介电材料；随即进行一蚀刻制程，移除未被该图案化遮罩覆盖的该介电材料，以于该第一元件区上形成该选择性薄膜，同时于该第二元件区的该闸极之侧壁上形成该侧壁子；最后移除该图案化遮罩。