氮化矽唯读记忆体及其字元线的制造方法

摘要

一种记忆体之字元线的形成方法，先在基底上形成一层导体层，再形成一层金属矽化物层和一层罩幕图案，以便用罩幕图案定义出数个字元线区域并露出金属矽化物层的部分表面。接着，在基底上形成一层罩幕衬层，覆盖罩幕图案与金属矽化物层的表面，再对罩幕衬层与罩幕图案进行蚀刻制程，直到露出金属矽化物层的部分表面，再以罩幕衬层与罩幕图案作为罩幕，蚀刻金属矽化物层与导体层，以形成数条字元线，其中金属矽化物层的矽含量控制在小于等于2原子数/分子，以降低记忆体的字元线间的桥接故障率。