发明名称 氮化矽沟填层及其形成方法
摘要 一种形成氮化矽沟填层的方法,此方法是先进行一前多阶段形成制程,以在一基底上形成一堆叠膜层,构成一密集膜。然后,再进行一后单阶段沈积制程,以在堆叠膜层上形成一顶层,构成一疏松膜,其中顶层之厚度占总体氮化矽沟填层厚度之10%以上。
申请公布号 TW200913070 申请公布日期 2009.03.16
申请号 TW096134181 申请日期 2007.09.13
申请人 联华电子股份有限公司 发明人 陈能国;谢朝景;黄建中
分类号 H01L21/318(2006.01) 主分类号 H01L21/318(2006.01)
代理机构 代理人 詹铭文;萧锡清
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区力行二路3号