发明名称 | 氮化矽沟填层及其形成方法 | ||
摘要 | 一种形成氮化矽沟填层的方法,此方法是先进行一前多阶段形成制程,以在一基底上形成一堆叠膜层,构成一密集膜。然后,再进行一后单阶段沈积制程,以在堆叠膜层上形成一顶层,构成一疏松膜,其中顶层之厚度占总体氮化矽沟填层厚度之10%以上。 | ||
申请公布号 | TW200913070 | 申请公布日期 | 2009.03.16 |
申请号 | TW096134181 | 申请日期 | 2007.09.13 |
申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 陈能国;谢朝景;黄建中 |
分类号 | H01L21/318(2006.01) | 主分类号 | H01L21/318(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | 詹铭文;萧锡清 | |
主权项 | |||
地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行二路3号 |