LED auf AlGaInN-Basis mit dicker Epitaxieschicht für eine verbesserte Lichtextraktion und Verfahren zum Herstellen des Bauelements,申请号DE2000117757-传众专利搜索

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发明名称	LED auf AlGaInN-Basis mit dicker Epitaxieschicht für eine verbesserte Lichtextraktion und Verfahren zum Herstellen des Bauelements
摘要
申请公布号	DE10017757(B4)	申请公布日期	2009.03.12
申请号	DE2000117757	申请日期	2000.04.10
申请人	PHILIPS LUMILEDS LIGHTING COMPANY,LLC	发明人	KRAMES, MICHAEL RAGAN;MARTIN, PAUL SCOTT;TAN, TUN SEIN
分类号	H01L33/02;H01L33/10;H01L33/32	主分类号	H01L33/02
代理机构		代理人
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