| 发明名称 | 半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体器件的制造方法，包括：在半导体衬底上形成栅极、源极和漏极；在所述栅极、源极和漏极表面沉积金属层；低温热退火处理；在具有所述栅极、源极和漏极的衬底上形成刻蚀停止层；在所述刻蚀停止层上形成层间介电层；在所述层间介电层中刻蚀形成接触孔。本发明的方法省去了高温退火的步骤，利用后续淀积的温度对镍进行二次退火，即简化了制造工艺，又能够更好地控制整个镍硅化过程的热预算，防止了在高温热退火时硅化镍转变为高阻态导致接触电阻增大现象的发生。 | ||
| 申请公布号 | CN100468634C | 申请公布日期 | 2009.03.11 |
| 申请号 | CN200610030077.9 | 申请日期 | 2006.08.14 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 李泽逵;宁先捷 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 逯长明 |
| 主权项 | 1、一种半导体器件的制造方法，包括:在含Si的半导体衬底上形成栅极、源极和漏极；在所述栅极、源极和漏极表面沉积Ni金属层；低温热退火处理，使Ni与Si反应形成主要是较高阻态的Ni2Si相的硅化镍，所述低温热退火的温度为250～400℃；在具有所述栅极、源极和漏极的衬底上淀积刻蚀停止层；在所述刻蚀停止层上淀积层间介电层；利用上述两个淀积工艺进行退火处理，使Ni2Si转变成NiSi，所述淀积工艺的温度为400～500℃；在所述低温热退火处理和所述淀积层间介电层的步骤之间未使用高于500℃的高温热退火工艺；在所述层间介电层中刻蚀形成接触孔。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||