发明名称 一种类金刚石碳膜制造方法和用其制造的带包覆膜的部件
摘要 本发明提供了一种射频等离子体增强化学气相沉积方法,先在基底上沉积一层金属层,依次在金属层上沉积其氮化物层或者碳化物层,再在氮化物或者碳化物层上沉积类金刚石碳膜。本发明还提出了一种用该方法制造的带复合型包覆层的部件,部件的基材可以是金属、陶瓷、玻璃和有机树脂材料。本发明相应地提出了一种实施射频等离子体增强化学气相沉积方法的装置,该装置安装有至少一个金属溅射源,并把真空室分为等离子体生成室和等离子体处理室两个相连通的空间。在等离子体处理室内安有一对大面积的电极板,以确保镀层的均匀性和各向同性。通过调节电压、电流和真空室内Ar、N<sub>2</sub>和含碳气体组分,可沉积高附着力的类金刚石碳膜。
申请公布号 CN100467664C 申请公布日期 2009.03.11
申请号 CN200510047679.0 申请日期 2005.11.11
申请人 东北大学 发明人 蔺增;巴德纯
分类号 C23C16/26(2006.01)I;C23C16/505(2006.01)I;C23C16/513(2006.01)I 主分类号 C23C16/26(2006.01)I
代理机构 沈阳东大专利代理有限公司 代理人 梁 焱
主权项 1、一种类金刚石碳膜制造方法,利用主要由真空室、等离子体生成室和等离子体处理室构成的类金刚石碳膜沉积装置,制造类金刚石碳膜,是以射频等离子体增强化学气相沉积结合磁控溅射技术,在基底上形成材质为钛、铬、钨或锆的金属层之后在该金属层上形成氮化物或者碳化物膜,再在氮化物或者碳化物膜上形成类金刚石碳膜,其特征在于通过在同一台类金刚石碳膜沉积装置,在基底上形成金属层,氮化物或碳化物膜和类金刚石碳膜。
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