| 发明名称 | 半导体元件的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体元件的制造方法，通过在非氧化性气氛中，在基板(101)上堆积金属膜(102)，然后在氧化性气氛中使金属膜(102)氧化，而形成构成栅绝缘膜(103A)的金属氧化膜(103)。由此能够防止在基板上形成介电常数低的界面层，而形成仅由高介电常数材料所构成的栅绝缘膜，从而可提高金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN100468638C | 申请公布日期 | 2009.03.11 |
| 申请号 | CN02152798.9 | 申请日期 | 2002.11.28 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 林重德;山本和彦 |
| 分类号 | H01L21/283(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/283(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汪惠民 |
| 主权项 | 1. 一种半导体元件的制造方法，其特征在于，包括：第1工序，在非氧化性气氛中在硅基板上堆积金属膜；和第2工序，在氧化性气氛中通过使所述金属膜氧化而形成成为晶体管的栅绝缘膜的金属氧化膜；在所述第2工序中，在所述硅基板和所述金属氧化膜之间，形成厚度在0.5nm以上且在1.7nm以下的硅酸盐构成的界面层。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||