主权项 |
1. 一种低压大变容比二极管的制造方法,其包括以下步骤:(1)在电阻率为0. 001Ω·cm、重掺杂砷的N++<100>硅衬底片上,生长一N型外延层,外延层厚度为2.5μm,电阻率为2.5Ω·cm,掺杂杂质为磷,形成所述低压大变容比二极管的N++/N-1区域;(2)对所述已生长了外延层的硅片进行常规氧化,生长一氧化层,厚度为1.2μm,常规光刻,刻蚀出有源区窗口;(3)在所述已刻蚀出有源区窗口的硅片上进行常规氧化,生长一薄氧化层,厚度为180nm,进行砷杂质注入,剂量为1×1014cm-2,能量为120KeV,在1150℃下退火60分钟后,形成所述低压大变容比二极管的N-2区域,漂光窗口上的薄氧化层;(4)在所述已形成N-2区域的硅片上,用常规方法生长一薄氧化层,厚度为180nm,进行硼杂质注入,剂量为1×1016cm-2,能量为60KeV,在900℃下退火98分钟后,形成所述低压大变容比二极管的P+区域,漂光窗口上的薄氧化层;(5)对已形成所述低压大变容比二极管的N++/N-1/N-2/P+区的硅片,进行常规的金属布线、光刻、钝化、合金,再对硅片的背面进行常规的减薄、背面金属化,最终形成所述的低压大变容比二极管。 |