发明名称 用于模制盖的衬底表面的非导电平坦化
摘要 与具体实施例一致,提供一种用于制造具有衬底的半导体封装的方法。所述方法包括在衬底表面上限定密封边界;密封边界划分为模制区域和非模制区域。在衬底上配置多个导电迹线。每个导电迹线具有位于模制区域中的内部连接和位于非模制区域中的外部连接。配置多个横跨密封边界的非导电虚拟迹线。多个非导电虚拟迹线散布在导电迹线中,并且按照比预定最小空气脉形成距离(D<sub>min</sub>)小的间隔而间隔开。衬底上的焊接掩模覆盖导电迹线和非导电迹线。衬底的模制区域由模制复合物密封。
申请公布号 CN101385136A 申请公布日期 2009.03.11
申请号 CN200780005448.0 申请日期 2007.02.14
申请人 NXP股份有限公司 发明人 吉恩·费尔顿
分类号 H01L21/56(2006.01)I 主分类号 H01L21/56(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 代理人 朱进桂
主权项 1、一种用于制造具有衬底的半导体封装的方法,所述方法包括:在衬底表面上限定密封边界,将所述密封边界划分为模制模区域和非模制区域;在衬底上配置多个导电迹线,每个导电迹线具有位于模制区域的内部连接和位于非模制区域的外部连接;配置横跨密封边界的多个非导电虚拟迹线,所述多个虚拟迹线插入在导电迹线之间,所述导电迹线按照比预定的最小空气纹理形成距离(Dmin)更大的间隔而间隔开;在衬底上配置焊接掩模,所述掩模覆盖导电迹线和非导电虚拟迹线;以及用模制复合物密封衬底的模制区域。
地址 荷兰艾恩德霍芬