| 发明名称 | 钙钛矿结构镧锰氧化物/氧化锌异质p-n结及制备方法 | ||
| 摘要 | 钙钛矿结构镧锰氧化物/氧化锌异质p-n结及制备方法属于半导体材料制造领域。本发明首次采用磁控溅射法制备出钙钛矿结构镧锰氧化物/氧化锌异质p-n结。该p-n结的结构为Si(100)单晶基片(1)衬底，Pt电极层(2)、ZnO薄膜(3)、及LSMO薄膜(4)。本发明制备的LSMO/ZnO p-n结不仅在40-320K的温度范围内都具有优异的整流特性，解决了现有技术利用PLD成本高，不利于应用于大规模工业生产的问题。本发明方法所获得的钙钛矿结构镧锰氧化物异质p-n结在自旋电子器件领域具有良好的应用潜能。 | ||
| 申请公布号 | CN100468781C | 申请公布日期 | 2009.03.11 |
| 申请号 | CN200710099092.3 | 申请日期 | 2007.05.11 |
| 申请人 | 北京工业大学 | 发明人 | 张铭;陆然;代红云;严辉;王波;宋雪梅 |
| 分类号 | H01L29/861(2006.01)I;H01L21/329(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/861(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京思海天达知识产权代理有限公司 | 代理人 | 刘 萍 |
| 主权项 | 1. 一种钙钛矿结构镧锰氧化物/氧化锌异质p-n结，其特征在于：其结构从下到上为Si晶向(100)单晶基片(1)衬底，Pt电极层(2)、ZnO薄膜(3)、及LSMO薄膜(4)，在Pt电极层(2)和LSMO薄膜(4)上分别沉积Ag电极(5)。 | ||
| 地址 | 100022北京市朝阳区平乐园100号 | ||