| 发明名称 | 制作开口与接触孔的方法 | ||
| 摘要 | 首先提供一半导体衬底，且上述半导体衬底由下而上依序包括一蚀刻停止层与至少一介电层。接着图案化上述介电层以于上述介电层中形成多个开口，并暴露出位于上述开口底部的蚀刻停止层。随后形成一介电薄膜，覆盖于上述介电层的上表面、上述开口的内壁与暴露出的蚀刻停止层上。最后去除位于上述介电层上表面以及上述蚀刻停止层上的介电薄膜。 | ||
| 申请公布号 | CN100468649C | 申请公布日期 | 2009.03.11 |
| 申请号 | CN200510113870.0 | 申请日期 | 2005.10.21 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 曹博昭;黄昌琪;陈铭聪 |
| 分类号 | H01L21/31(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/31(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯 宇 |
| 主权项 | 1. 一种制作开口的方法，包括:提供一半导体衬底，且该半导体衬底由下而上依序包括一蚀刻停止层与至少一介电层；图案化该介电层以于该介电层中形成多个开口，并暴露出位于该些开口底部的该蚀刻停止层；形成一介电薄膜，覆盖于该介电层的上表面、该些开口的内壁与该蚀刻停止层上；以及去除位于该介电层上表面以及该蚀刻停止层上的该介电薄膜。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区 | ||