氧化锌紫外焦平面成像阵列制作工艺中的化学刻蚀方法

摘要

本发明公开了一种氧化锌紫外探测焦平面成像阵列制作中氧化锌材料的化学刻蚀方法，该方法首先制作氧化锌材料的掩模，然后通过氯化铵水溶液进行刻蚀，其中为了改善刻蚀效果还可以对刻蚀液进行水浴加热。上述刻蚀方法中，由于采用氯化铵溶液作为刻蚀剂，因此它具有以下优点：(1)刻蚀表面平整度高；(2)刻蚀的选择性非常好(对光刻胶没有腐蚀性)；(3)可以达到非常好的纵横比要求；(4)对要刻蚀的样品没有任何杂质离子的污染，对器件的性能没有影响；(5)并且只需改变氯化铵溶液的浓度，就可以在保证刻蚀表面平整和比较好的纵横比的前提下，得到不同的刻蚀速率，操作非常简单；(6)可以通过控制刻蚀时间来控制刻蚀深度。

主权项

1. 一种用于氧化锌紫外焦平面成像阵列制作工艺中的化学刻蚀方法，首先采用半导体常规工艺中的标准光刻技术制作好氧化锌材料的光刻胶掩膜图形，其特征在于，以质量浓度为5％-10％的氯化铵水溶液对所述带有光刻胶掩膜图形的氧化锌材料进行化学刻蚀，刻蚀时间为20分钟至50分钟，刻蚀速率为26nm/min～625nm/min，即可在氧化锌薄膜上获得平整的紫外焦平面成像阵列和良好的刻蚀纵横比。