发明名称 半导体器件及其制造方法、线路板及其制造方法、半导体封装件和电子装置
摘要 端子焊盘被形成在LSI芯片的有效面上,并且复合阻挡金属层被提供在该端子焊盘上。由硅树脂构成的多个低弹性颗粒分散在由NiP构成的金属基相中。复合阻挡金属层的膜厚度例如为3μm,并且低弹性颗粒的直径例如为1μm。通过将焊块键合到复合阻挡金属层,半导体器件被安装在线路板上。从而,低弹性颗粒被允许当半导体器件经由焊块键合到线路板时,根据所施加的应力而变形,因此应力可以被吸收。
申请公布号 CN100468674C 申请公布日期 2009.03.11
申请号 CN200580040367.5 申请日期 2005.11.25
申请人 日本电气株式会社;恩益禧电子股份有限公司 发明人 曾川祯道;山崎隆雄;高桥信明
分类号 H01L21/60(2006.01)I 主分类号 H01L21/60(2006.01)I
代理机构 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 代理人 李晓冬
主权项 1. 一种包括半导体芯片的半导体器件,所述半导体芯片在表面上具有端子焊盘,在所述端子焊盘上方提供有阻挡金属层;其中,所述阻挡金属层具有由导电材料组成的基相和多个低弹性颗粒,所述多个低弹性颗粒分散在所述基相中,并且具有比所述基相的弹性模量低的弹性模量。
地址 日本东京都