发明名称 |
非易失性半导体存储器件 |
摘要 |
非易失性半导体存储器件(101)包括连接到指令解码器(108)的特殊指令使能/无效信号线(120)。特殊指令使能/无效信号经信号线(120)从外部输入给指令解码器(108)。由此,在初始化该器件(101)时,指令解码器(108)可以使特殊指令有效并且该器件(101)可以转变到对应特殊指令的模式。另一方面,指令解码器(108)可以使特殊指令无效,例如,当用户使用该器件(101)时,由此,即使在错误地发布特殊指令时,也能防止执行特殊指令。 |
申请公布号 |
CN100468574C |
申请公布日期 |
2009.03.11 |
申请号 |
CN200510068513.7 |
申请日期 |
2005.04.28 |
申请人 |
松下电器产业株式会社 |
发明人 |
小宫学;富田泰弘;诹访仁史 |
分类号 |
G11C16/02(2006.01)I;G11C16/06(2006.01)I |
主分类号 |
G11C16/02(2006.01)I |
代理机构 |
永新专利商标代理有限公司 |
代理人 |
王 英 |
主权项 |
1、一种在指令基础上进行操作的非易失性半导体存储器件,包括:包括多个非易失性存储单元的存储单元阵列;用于对从外部输送给它的指令进行解码的指令解码器;以及用于根据由所述指令解码器执行的解码的结果来控制所述存储单元阵列的控制电路,其中把至少一个特殊指令使能/无效控制信号输入到所述指令解码器,所述特殊指令使能/无效控制信号用于控制是否允许执行可以执行的指令当中的至少一个指令,所述指令解码器输出根据所述特殊指令控制信号的解码结果,并且所述特殊指令使能/无效控制信号从外部输送给它。 |
地址 |
日本大阪府 |