| 发明名称 | 接触结构制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明是一种接触结构制造方法。本发明提供了一种用于在一结构表面(100a)上制造一接触结构(116)之方法，其包含了于该结构表面(100a)上制造一第一传导层(112)，而该第一传导层(112)包含钨。一传导种子层(114)乃形成于该第一传导层(112)上；该接触结构(116)乃藉由电镀方式而形成于该种子层(114)上。该第一传导层(112)乃作为自背侧选择性移除基板材料时的一终止层。 | ||
| 申请公布号 | CN100468671C | 申请公布日期 | 2009.03.11 |
| 申请号 | CN200510004166.1 | 申请日期 | 2005.01.12 |
| 申请人 | 因芬尼昂技术股份公司 | 发明人 | C·阿赫伦斯;J·胡伯;U·塞德 |
| 分类号 | H01L21/60(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/60(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 梁 永 |
| 主权项 | 1. 一种用于在一基板(100)的一结构表面(100a)上制造一接触结构(116)的方法，该方法包含:于该结构表面(100a)上制造一第一传导层(112)，该第一传导层(112)包含钨；于该第一传导层(112)上制造一传导种子层(114)，该种子层(114)包含一多层结构，其中该第一传导层(112)不是该多层结构的一部份；以及在该种子层(114)上电镀该接触结构(116)；以及选择性地移除该接触结构(116)，而该种子层(114)的该多层结构中的至少一层乃在该选择性的移除中作为一终止层。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||