对准方法、套刻检查方法和光掩模

摘要

在用第1、第2光掩模21、22，与器件图形一起，在晶片1上边依次形成对准标记41和第1、第2套刻偏差检查用标记42、43的情况下，这些标记都形成为具有器件图形的一部分或相同的尺寸、形状，因此，不论是对准标记41还是套刻偏差检查用标记42、43，都与器件图形同程度地具有起因于在器件图形复制时使用的曝光光学系统的象差的影响的位置偏差误差和起因于其后加工的位置偏差误差，其结果是可以正确地把握位置偏差量，可以实现高精度的对准和位置修正。

主权项

1. 一种光掩模的对准方法，具备:用含有第1器件图形、第1套刻偏差检查用标记和对准标记的第1光掩模，在晶片上至少形成上述第1器件图形、上述第1套刻偏差检查用标记和上述对准标记的步骤，上述第1套刻偏差检查用标记和上述对准标记都具有上述第1器件图形的一部分或具有与上述第1器件图形相同的图形形状；根据上述对准标记相对于形成在上述晶片上的光刻胶膜进行第2光掩模的定位的步骤；以及用含有第2器件图形和第2套刻偏差检查用标记的第2光掩模，在上述晶片上的光刻胶膜上至少形成第2器件图形和第2套刻偏差检查用标记，上述第2套刻偏差检查用标记具有上述第2器件图形的一部分或具有与上述第2器件图形相同的图形形状；从上述第1和第2套刻偏差检查用标记检查在上述晶片上形成的第1器件图形和在上述光刻胶膜形成的第2器件图形之间的偏差。