具有自偏压电极的横向功率器件

摘要

半导体功率晶体管包括第一导电型的漂移区以及该漂移区中的第二导电型的阱区，使得阱区以及漂移区之间形成pn结。第一导电型的第一高掺杂硅区在阱区中，而第二高掺杂硅区在漂移区中。第二高掺杂硅区与阱区横向地隔开，使得一旦在导电状态下将偏压加到晶体管，电流就通过漂移区在第一高掺杂硅区与第二高掺杂硅区之间横向地流动。垂直于电流的延伸到漂移区中的多个沟槽中的每个沟槽都包括覆衬于沟槽侧壁的至少一部分的介电层以及至少一个导电电极。

主权项

1. 一种半导体晶体管，包括:第一导电型的漂移区；所述漂移区中的第二导电型的阱区，所述阱区和所述漂移区之间形成pn结；所述阱区中的所述第一导电型的第一高掺杂硅区；所述漂移区中的第二高掺杂硅区，所述第二高掺杂硅区与所述阱区横向地隔离，使得一旦在导电状态下将偏压加到所述半导体晶体管，电流通过所述漂移区在第一高掺杂硅区与第二高掺杂硅区之间横向地流动；以及垂直于所述电流的延伸到所述漂移区中的多个沟槽，每个沟槽均具有覆衬于所述沟槽侧壁的至少一部分的介电层以及至少一个导电电极。