| 发明名称 | 单晶硼纳米锥、其制备方法以及在电学和场发射器件中的应用 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种单晶硼纳米锥，其由纯硼组成，具有单晶结构。本发明还提供一种制备硼纳米锥的方法，该方法以硼化物和硼粉的混合物作为源材料，Fe<sub>3</sub>O<sub>4</sub>催化剂纳米粒子与微量硼粉的混合物作为共催化剂，利用化学气相沉积CVD法合成硼纳米锥。通过本发明的方法制备的硼纳米锥具有良好的电学性质和场发射性能。 | ||
| 申请公布号 | CN101381887A | 申请公布日期 | 2009.03.11 |
| 申请号 | CN200710121358.X | 申请日期 | 2007.09.05 |
| 申请人 | 中国科学院物理研究所 | 发明人 | 高鸿钧;王兴军;申承民;田继发;惠超 |
| 分类号 | C30B29/02(2006.01)I;C30B29/62(2006.01)I | 主分类号 | C30B29/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 王 旭 |
| 主权项 | 1. 一种硼纳米锥，由纯硼组成，具有单晶结构。 | ||
| 地址 | 100080北京市海淀区中关村南三街8号 | ||