吸收型增益耦合分布反馈激光器的制作方法

摘要

一种吸收型增益耦合分布反馈激光器的制作方法，包括如下步骤：在砷化镓或磷化铟衬底上大面积沉积一层二氧化硅薄膜；在二氧化硅薄膜上涂一层光刻胶；将光刻胶曝光并显影得到光刻胶布拉格光栅掩模；以光刻胶布拉格光栅掩模充当掩蔽，刻蚀二氧化硅薄膜，得到二氧化硅布拉格光栅掩模；以光刻胶布拉格光栅掩模和二氧化硅布拉格光栅掩模一起充当掩蔽，对砷化镓或磷化铟衬底进行刻蚀，在砷化镓或磷化铟衬底上得到布拉格光栅；去掉光刻胶布拉格光栅掩模，保留二氧化硅布拉格光栅掩模；外延生长吸收层，填充布拉格光栅的低凹的部分，以形成吸收型增益耦合分布反馈布拉格光栅；去掉二氧化硅布拉格光栅掩模；在吸收型增益耦合分布反馈布拉格光栅上二次外延依次生长下分别限制层、有源区、上分别限制层、盖层和接触层。

主权项

1、一种吸收型增益耦合分布反馈激光器的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)在砷化镓或磷化铟衬底上大面积沉积一层二氧化硅薄膜；(2)在二氧化硅薄膜上涂一层光刻胶；(3)将光刻胶曝光并显影得到光刻胶布拉格光栅掩模；(4)以光刻胶布拉格光栅掩模充当掩蔽，刻蚀二氧化硅薄膜，得到二氧化硅布拉格光栅掩模；(5)以光刻胶布拉格光栅掩模和二氧化硅布拉格光栅掩模一起充当掩蔽，对砷化镓或磷化铟衬底进行刻蚀，在砷化镓或磷化铟衬底上得到布拉格光栅；(6)去掉光刻胶布拉格光栅掩模，保留二氧化硅布拉格光栅掩模；(7)外延生长吸收层，填充布拉格光栅的低凹的部分，以形成吸收型增益耦合分布反馈布拉格光栅；(8)去掉二氧化硅布拉格光栅掩模；(9)在吸收型增益耦合分布反馈布拉格光栅上二次外延依次生长下分别限制层、有源区、上分别限制层、盖层和接触层。