| 发明名称 | 形成光刻胶图案的方法 | ||
| 摘要 | 形成光刻胶图案的方法，包括将带有可冷凝类物质的半导体晶片放置在化学过滤的光刻系统中和在该化学过滤的光刻系统中从该半导体晶片上解吸该化学类物质。在解吸该化学类物质之后，在该化学过滤的光刻系统中将光刻胶施涂到该半导体晶片上。接下来，在该化学过滤的光刻系统中将该光刻胶暴露在能量下以形成光刻胶图案。 | ||
| 申请公布号 | CN100468642C | 申请公布日期 | 2009.03.11 |
| 申请号 | CN200480044253.3 | 申请日期 | 2004.11.30 |
| 申请人 | 飞思卡尔半导体公司 | 发明人 | C·J·史密斯;S·M·休斯;C·M·J·霍克;A·M·克罗尔;A·G·纳吉;P·M·瓦恩巴杰 |
| 分类号 | H01L21/302(2006.01)I;H01L21/3213(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/302(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 邓 毅 |
| 主权项 | 1. 形成光刻胶图案的方法，其中该方法包括:提供半导体晶片；将该半导体晶片暴露在等离子体环境下；在将该半导体晶片暴露在该等离子体环境下之后，从该半导体晶片的上表面解吸可冷凝类物质；在解吸该可冷凝类物质之后，将光刻胶施涂到该半导体晶片的上表面；和将该光刻胶暴露在能量下以形成光刻胶图案。 | ||
| 地址 | 美国得克萨斯 | ||