发明名称 细长管筒内表面中空阴极等离子体表面处理装置及方法
摘要 细长管筒内表面中空阴极等离子体表面处理装置及方法。现在的离子注入方法存在分布不均匀的问题。本发明所述处理装置结构为一号金属管(1)和设置在一号金属管(1)内并与其相互绝缘的二号金属管(2),所述一号金属管(1)与地连接,二号金属管(2)与射频电极(4)连接。处理方法是,待处理细长管筒(7)与负偏压电源连接;向二号金属管(2)内注入气体并与射频电源相连,并控制处理装置在细长管筒(7)内轴向移动即可。本发明的最大的优势是:被处理的细长管筒工件内部的中空阴极射频放电几乎不受被处理管筒直径限制,这样能处理的细长管筒工件的内径可以大大减小,并且处理均匀,方法简单适用效果好,利于推广应用。
申请公布号 CN100467663C 申请公布日期 2009.03.11
申请号 CN200610010001.X 申请日期 2006.04.30
申请人 哈尔滨工业大学 发明人 田修波;杨士勤
分类号 C23C14/48(2006.01)I;C23C16/513(2006.01)I 主分类号 C23C14/48(2006.01)I
代理机构 哈尔滨市松花江专利商标事务所 代理人 张 伟
主权项 1. 一种细长管筒内表面中空阴极等离子体表面处理装置,其特征在于它包括一号金属管(1),在一号金属管(1)内部设置与其相互绝缘的二号金属管(2),所述二号金属管(2)前端头设置在一号金属管(1)的内部;所述一号金属管(1)通过导线与地连接,二号金属管(2)通过导线与射频电极(4)连接。
地址 150001黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号