栅极具有不同功函数的双栅极半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种双栅极FinFET及其制造方法。所述FinFET包括鳍状物(20)的相邻各个边的第一和第二栅极(72，74)，至少一部分第一栅极面向由多晶硅形成的鳍状物，并且至少一部分第二栅极面向金属硅化物形成的鳍状物。两个栅极的不同成分提供各个不同的功函数以减小短沟道效应。

主权项

1、一种半导体器件，所述器件包括：半导体材料的鳍状物(20)，位于绝缘衬底(12)上；第一栅极(72)，通过栅极电介质层(30)与鳍状物的第一边分离，所述第一栅极的至少一部分面向由多晶硅形成的鳍状物；以及第二栅极(74)，通过栅极电介质层(32)从鳍状物的与第一边相对的第二边分离，所述第二栅极的至少一部分面向由金属硅化物形成的鳍状物。