| 发明名称 | 半导体芯片中的电容 | ||
| 摘要 | 本实用新型揭示了一种半导体芯片中的电容，包括衬底层、多晶硅层、至少一金属层；所述每层金属层呈六边形网状结构。本实用新型能够更佳充分地利用空间，使得金属层的侧表面积可以得到充分利用，从而增加电容的密度；同时，充分利用了通孔的侧面电容，使得等效寄生电容得到提高。这在深亚微米集成电路制造工艺更有意义。 | ||
| 申请公布号 | CN201207394Y | 申请公布日期 | 2009.03.11 |
| 申请号 | CN200820057145.5 | 申请日期 | 2008.04.10 |
| 申请人 | 捷顶微电子(上海)有限公司 | 发明人 | 许刚 |
| 分类号 | H01L27/00(2006.01)I;H01L27/02(2006.01)I;H01L29/92(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所 | 代理人 | 余明伟 |
| 主权项 | 1、一种半导体芯片中的电容，包括衬底层、多晶硅层、至少一金属层；其特征在于：所述每层金属层呈单元格为六边形的网状结构。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江高科技园区春晓路149号主楼1楼 | ||