| 发明名称 | N-型衬底上的图像传感器 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种用于CMOS图像传感器的像素传感器单元。该单元包括一个在P阱中形成的销接光电二极管，而该P阱又是在N-型半导体衬底中形成的。在该销接光电二极管和输出节点间设置一个传输晶体管。复位晶体管则用来耦合高压轨V<sub>dd</sub>和该输出节点。最后，该单元还包括一个其栅极耦合到上述输出节点上的输出晶体管。 | ||
| 申请公布号 | CN100468756C | 申请公布日期 | 2009.03.11 |
| 申请号 | CN200510052301.X | 申请日期 | 2005.02.04 |
| 申请人 | 豪威科技有限公司 | 发明人 | 真锅素平;野崎英骏 |
| 分类号 | H01L27/146(2006.01)I;H04N5/335(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/146(2006.01)I |
| 代理机构 | 广州三环专利代理有限公司 | 代理人 | 戴建波 |
| 主权项 | 1、一种像素传感器单元，其包括:在P阱中形成的销接光电二极管，该P阱又是在N-型半导体衬底上形成的；设置在该销接光电二极管和输出节点之间的耗尽型传输晶体管；耦合在高电压轨Vdd和该输出节点之间的复位晶体管；以及输出晶体管，该输出晶体管的栅极耦合到该输出节点。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州桑尼维尔市 | ||