| 发明名称 | 半导体叠层电容器 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体叠层电容器，其特征在于包括：在半导体器件上形成的至少一层金属层；填充在所述金属层之间电介质层；所述金属层之间具有至少一个金属互连孔。本发明的半导体叠层电容器相对于MIM电容器减少了一次掩膜工艺，从而大大降低了生产成本。 | ||
| 申请公布号 | CN100468731C | 申请公布日期 | 2009.03.11 |
| 申请号 | CN200610024666.6 | 申请日期 | 2006.03.14 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 苏鼎杰;何佳;刘丕均;郑敏祺 |
| 分类号 | H01L27/00(2006.01)I;H01L27/02(2006.01)I;H01L27/06(2006.01)I;H01L27/102(2006.01)I;H01L27/108(2006.01)I;H01L29/92(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 逯长明 |
| 主权项 | 1、一种半导体叠层电容器，其特征在于包括:在半导体器件上形成的多层金属层；所述金属层包括至少二金属电极板和至少二引出端，以及填充在金属电极板的缝隙中的电介质层；填充在所述金属层之间的电介质层；所述金属层之间具有至少一个金属互连孔；每层金属层的电极板之间形成电容，且两层或多层金属层的电极板之间也形成电容。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||