| 发明名称 | 研磨剂以及研磨方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供在半导体集成电路装置的制造中研磨被研磨面中，具有高研磨速度、可抑制凹陷或磨蚀的产生的研磨剂。它是使在用于研磨半导体集成电路装置的被研磨面的化学、机械研磨用研磨剂中含有(A)氧化物微粒、(B)普鲁兰多糖以及(C)水。还可以含有(D)氧化剂以及(E)式(1)所示的化合物，其中，R为氢原子、碳原子数为1～4的烷基、碳原子数为1～4的烷氧基或者羧基。 | ||
| 申请公布号 | CN100468647C | 申请公布日期 | 2009.03.11 |
| 申请号 | CN200580006988.1 | 申请日期 | 2005.03.07 |
| 申请人 | 旭硝子株式会社;清美化学股份有限公司 | 发明人 | 竹宫聪;真丸幸惠 |
| 分类号 | H01L21/304(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/304(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 沙永生 |
| 主权项 | 1. 研磨剂，它是在半导体集成电路装置的制造中用于研磨被研磨面的化学机械研磨用研磨剂，其特征在于，含有(A)氧化物微粒、(B)重均分子量在1万～30万的范围内的普鲁兰多糖以及(C)水。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||