发明名称 场发射显示器电子发射源及其制造方法
摘要 本发明涉及一种场发射显示器电子发射源及其制造方法,所述制造方法包括提供形成阴极的第一基板,在第一基板上利用网印或微影蚀刻技术制造含有孔穴的阴极电极层,阴极电极层表面经微影制造程序制造光阻保护层,再将低黏度纳米碳管溶液涂布在上述光阻保护层并沉积在孔穴中,经真空烧结并利用蚀刻技术去除光阻保护层形成位于孔穴内的具有平坦表面的电子发射源层。电子发射源包括形成在第一基板上的阴极、形成在所述阴极表面并含有孔穴的阴极电极层以及经蚀刻显像及真空烧结而高密度沉积在孔穴中的带有平坦表面的电子发射源层。本发明的电子发射源具有较好的平坦性、可提高影像与亮度均匀性并增加纳米碳管的密度从而有助于提高电子束电子密度。
申请公布号 CN100468601C 申请公布日期 2009.03.11
申请号 CN200410042599.1 申请日期 2004.05.25
申请人 东元奈米应材股份有限公司 发明人 李裕安;萧俊彦;蔡金龙;郑奎文
分类号 H01J9/02(2006.01)I;H01J1/304(2006.01)I;H01J29/04(2006.01)I 主分类号 H01J9/02(2006.01)I
代理机构 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 代理人 余 朦;方 挺
主权项 1. 一种场发射显示器电子发射源的制造方法,包括:提供一形成阴极的第一基板;在所述第一基板的表面上网印一阴极电极层,并形成多个孔穴;在阴极电极层表面覆盖一层光阻保护层;将低黏度纳米碳管溶液涂布在光阻保护层表面并沉积在所述孔穴中;去除涂布在光阻保护层表面的低黏度纳米碳管溶液;真空烧结沉积在孔穴中的低黏度纳米碳管溶液并形成平坦的电子发射源层。
地址 中国台湾