| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种高耐压的晶体管以窄宽度排列的半导体装置及其制造方法。半导体装置，包括：第二导电型的第一晶体管，形成在包含第一导电型的杂质的衬底(6)上；第二导电型的第二晶体管，形成在衬底(6)上，第二晶体管的源极区域与第一晶体管的源极区域(Sc)共用。其中，在第一和第二晶体管的栅极绝缘膜(70a、70b)的下层，与各个晶体管的沟道区域邻接而形成第二导电型的第一和第二偏移层(50a、50b)。在源极区域(Sc)，形成第一导电型的第一和第二扩散层(54、52)。第二扩散层(52)，通过第一扩散层(54)与第一偏移层和第二偏移层(50a、50b)连接。第一扩散层(54)的杂质浓度比衬底(6)的杂质浓度高。 | ||
| 申请公布号 | CN100468737C | 申请公布日期 | 2009.03.11 |
| 申请号 | CN200510124391.9 | 申请日期 | 2005.11.29 |
| 申请人 | 精工爱普生株式会社 | 发明人 | 石川淳 |
| 分类号 | H01L27/092(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/092(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 余 刚 |
| 主权项 | 1. 一种半导体装置，其特征在于，包括:第二导电型的第一晶体管，形成在包含第一导电型的杂质的衬底上；以及第二导电型的第二晶体管，形成在所述衬底上，所述第二晶体管的源极区域与所述第一晶体管的源极区域共用；其中，在所述第一晶体管的栅极绝缘膜的下层，与所述第一晶体管的沟道区域邻接而形成第二导电型的第一偏移层，在所述第二晶体管的栅极绝缘膜的下层，与所述第二晶体管的沟道区域邻接而形成第二导电型的第二偏移层，在所述源极区域，形成第一导电型的第一扩散层和所述第一扩散层的上层的第一导电型的第二扩散层，所述第二扩散层被设置为通过所述第一扩散层与所述第一偏移层和第二偏移层连接，所述第一扩散层的杂质浓度比所述衬底的杂质浓度高，所述第一扩散层的杂质浓度比所述第二扩散层的杂质浓度低。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||