发明名称 半导体存储器装置及该装置的数据读取方法
摘要 一种半导体存储器装置及其数据读取方法,在时钟信号为高频和低频的情况下,都能进行二周期流水线读操作。该半导体存储器装置包括:存储单元阵列;读出放大电路;数据输出缓冲器;其特征在于,该数据输出缓冲器包括:电平移动器(60);寄存器(62);第1传输及锁存器(64,68);第2传输及锁存器(66,70);第1反相电路(72);第2反相电路(74);锁存器(76);以及逻辑“与”电路(78)。
申请公布号 CN100468568C 申请公布日期 2009.03.11
申请号 CN99100074.9 申请日期 1999.01.06
申请人 三星电子株式会社 发明人 郑泯喆;金炅来
分类号 G11C11/407(2006.01)I 主分类号 G11C11/407(2006.01)I
代理机构 北京市柳沈律师事务所 代理人 马 莹
主权项 1、一种半导体存储器装置,包括:存储单元阵列;读出放大部件,根据读出放大器使能信号,将从所述存储单元阵列读出的数据进行放大,产生读出输出信号对;数据输出缓冲器,将所述读出输出信号对进行缓冲,并且进行输出;其特征在于,所述数据输出缓冲器包括:电平移动器,根据数据输出缓冲器使能信号,接收所述读出输出信号对的输入,将电平进行移动,产生第1数据输出信号对;寄存器,将所述第1数据输出信号对进行反相并锁存,产生第2数据输出信号对;第1传输及锁存部件,根据第1控制信号,传输所述第2数据输出信号对并进行锁存,产生第3数据输出信号对;第2传输及锁存部件,根据第2控制信号,传输所述第2数据输出信号对并进行锁存,产生第4数据输出信号对;第1反相部件,根据第1数据输出控制信号,使所述第3数据输出信号对进行反相,产生第5数据输出信号对;第2反相部件,根据第2数据输出控制信号,使所述第4数据输出信号对进行反相,产生所述第5数据输出信号对;锁存部件,锁存所述第5数据输出信号对;逻辑“与”部件,根据数据输出使能信号,将所述第5数据输出信号对进行逻辑“与”,并且进行输出;以及控制信号产生电路,用于产生第1控制信号和第2控制信号,它包括:T触发器,根据所述读出放大器使能信号的反相形式而产生第1中间信号;反相器电路,用于通过对所述第1中间信号进行延迟和反相而产生第2中间信号;逻辑电路,用于通过对所述第1和第2中间信号进行逻辑处理而产生所述第1控制信号和第2控制信号。
地址 韩国京畿道