| 发明名称 | 半导体元件及其制作方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体元件，此半导体元件包括一基底、一晶体管、一硬掩模层与一抗反射层。基底具有第一区域与第二区域，其中第二区域为光感测区。晶体管配置于第一区域的基底上。硬掩模层配置于第二区域的基底上。抗反射层配置于硬掩模层与基底之间。 | ||
| 申请公布号 | CN100468752C | 申请公布日期 | 2009.03.11 |
| 申请号 | CN200510126854.5 | 申请日期 | 2005.11.24 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 姜元升;陈炫旭 |
| 分类号 | H01L27/144(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/144(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯 宇 |
| 主权项 | 1、一种半导体元件，包括:一基底，该基底具有一第一区域与一第二区域，其中该第二区域为一光感测区；一晶体管，配置于该第一区域的该基底上；一硬掩模层，配置于该第二区域的该基底上；以及一抗反射层，配置于该硬掩模层与该基底之间。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区 | ||