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<p>Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines bruchfesten scheibenförmigen Gegenstand sowie einer zugehörigen Halbleiterschaltungsanordnung, wobei ein Graben (T) im Bereich eines Sägerahmens (4) eines Trägersubstrats (1A) ausgebildet wird. An der Oberfläche des Trägersubstrats wird anschließend eine elektrisch leitende Galvanik-Keimschicht (SL) und darauf eine Galvanisierungsmaske zum Durchführen einer Galvanisierung und zum Auffüllen von freiliegenden Bereichen der Galvanisierungsmaske mit einem Galvanik-Füllmaterial (GF) durchgeführt. Nach Entfernen der Galvanisierungsmaske werden die entstehenden freiliegenden Bereiche wiederum mit schubspannungsfestem Material (TK) aufgefüllt und das Trägersubstrat von seiner Rückseite bis zu einer Enddicke (DE) gedünnt, wobei die Enddicke (DE) des gedünnten Trägersubstrats (1A) kleiner ist als eine Grabentiefe (h) des Grabens (T). Auf diese Weise lässt sich eine Bruchfestigkeit insbesondere von ultradünnen Halbleiterwafern wesentlich verbessern.
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