| 发明名称 | 磁性存储单元结构与磁性存储装置 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种磁性存储单元结构与磁性存储装置。该磁性存储单元结构包括第一反铁磁层。第一固定层，形成于第一反铁磁层之上。穿隧能障绝缘层，形成于第一固定层之上。自由层，形成于穿隧能障绝缘层之上。金属层，形成于自由层之上。第二固定层，形成于金属层之上。第二反铁磁层，形成于第二固定层之上。 | ||
| 申请公布号 | CN101383396A | 申请公布日期 | 2009.03.11 |
| 申请号 | CN200710149762.8 | 申请日期 | 2007.09.05 |
| 申请人 | 财团法人工业技术研究院 | 发明人 | 李元仁;王丁勇;洪建中 |
| 分类号 | H01L43/08(2006.01)I;H01L27/22(2006.01)I;G11C11/15(2006.01)I;G11C11/16(2006.01)I | 主分类号 | H01L43/08(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 彭久云;许向华 |
| 主权项 | 1. 一种磁性存储单元结构，包括:第一反铁磁层；第一固定层，形成于该第一反铁磁层之上；穿隧能障绝缘层，形成于该第一固定层之上；自由层，形成于该穿隧能障绝缘层之上；金属层，形成于该自由层之上；第二固定层，形成于该金属层之上；以及第二反铁磁层，形成于该第二固定层之上。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹县 | ||