| 发明名称 | 硅锗氢化物以及制造和使用其的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了硅锗氢化物化合物，它们的合成方法，它们的沉积方法和使用所述化合物制成的半导体结构。所述化合物由下式限定：SiH<sub>n1</sub>(GeH<sub>n2</sub>)<sub>y</sub>，其中y是2、3或4，其中n1是0、1、2或3以满足化合价，且其中对于该化合物中的每个Ge原子，n2独立地为0、1、2或3以满足化合价。 | ||
| 申请公布号 | CN101384506A | 申请公布日期 | 2009.03.11 |
| 申请号 | CN200680043750.0 | 申请日期 | 2006.11.21 |
| 申请人 | 亚利桑那董事会，代表亚利桑那州立大学行事的法人团体 | 发明人 | J·库韦塔基斯;C·J·里特三世 |
| 分类号 | C01B6/06(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I | 主分类号 | C01B6/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 李 帆 |
| 主权项 | 1. 式I的化合物SiHn1(GeHn2)y，其中y是2、3或4；其中n1是0、1、2或3以满足化合价；且其中对于该化合物中的每个Ge原子，n2独立地为0、1、2或3以满足化合价。 | ||
| 地址 | 美国亚利桑那 | ||