| 发明名称 | 具有MIM电容器的半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种具有MIM电容器的半导体器件及其制造方法。在本发明的一个示例性实施例中，具有MIM电容器的半导体器件包括：包括一对互相隔离开的金属图样的下部电极，被形成以覆盖下部电极隔离开的金属图样的表面的电介质，形成于电介质上的金属插塞，以及由金属制成并且形成于金属插塞上的上部电极。 | ||
| 申请公布号 | CN101383347A | 申请公布日期 | 2009.03.11 |
| 申请号 | CN200810147210.8 | 申请日期 | 2008.08.21 |
| 申请人 | 东部高科股份有限公司 | 发明人 | 金珉爽 |
| 分类号 | H01L27/02(2006.01)I;H01L27/108(2006.01)I;H01L27/06(2006.01)I;H01L27/08(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I;H01L29/92(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 李丙林;张 英 |
| 主权项 | 1. 一种具有金属绝缘体金属(MIM)电容器的半导体器件，包括:下部电极，包括一对互相隔离开的金属图样；电介质，被形成以覆盖所述下部电极的隔离开的所述金属图样的表面；金属插塞，形成于所述电介质上；以及上部电极，由金属制成并且形成于所述金属插塞上。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||