发明名称 |
半导体元件的制造方法 |
摘要 |
一种半导体元件的制造方法,在导体层覆盖前,于隔离结构上覆盖一材料层,上述的材料层优选是使用具有流动性的有机材料,可使得位于隔离结构之间的材料层厚度大于位于隔离结构顶部的材料层厚度,以有效回蚀隔离结构。然后,移除隔离结构顶部的材料层,并且移除隔离结构的一部份结构,以降低隔离结构的高度。 |
申请公布号 |
CN100468697C |
申请公布日期 |
2009.03.11 |
申请号 |
CN200510092039.1 |
申请日期 |
2005.08.16 |
申请人 |
力晶半导体股份有限公司 |
发明人 |
简财源;赖亮全 |
分类号 |
H01L21/82(2006.01)I;H01L21/8239(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/82(2006.01)I |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 |
代理人 |
陶凤波;侯 宇 |
主权项 |
1、一种沟槽式半导体元件的制造方法,该方法包括:于一基底上形成多个隔离结构,以定义出一有源区,其中该些隔离结构的顶部表面高于该基底表面;于该有源区的该基底中形成多个元件结构,其中该些元件结构的顶部表面高于该些隔离结构的顶部表面;于该基底上形成一材料层,该材料层具有平坦化效果,从而在该基底表面上形成一平坦化的表面;回蚀刻该材料层,并且在此步骤中移除该些隔离结构的一部份,以降低该些隔离结构的高度。 |
地址 |
台湾新竹市 |