隔离沟槽的填充方法

摘要

本发明一种隔离沟槽的填充方法，包括：提供一半导体衬底，所述衬底表面具有隔离沟槽；执行至少括一高密度等离子化学气相淀积工艺和至少一刻蚀工艺，在所述沟槽中沉积绝缘物质，直至填满所述沟槽；继续执行一具有第一溅射率的高密度等离子化学气相淀积工艺，在所述绝缘物质表面沉积一覆盖层；以及执行一具有第二溅射率的高密度等离子化学气相淀积工艺，在所述覆盖层表面沉积又一覆盖层，所述第二溅射率大于所述第一溅射率。本发明的隔离沟槽的填充方法能够在大尺寸晶片在隔离沟槽填充后增加晶片边缘区域绝缘层的厚度，从而提高晶片的中心区域和边缘区域绝缘层厚度的一致性和平坦程度。

主权项

1、一种隔离沟槽的填充方法，包括:提供一半导体衬底，所述衬底表面具有隔离沟槽；执行第一淀积工艺，在所述沟槽中沉积绝缘物质直至所述绝缘物质填满所述沟槽；其特征在于:继续执行第二淀积工艺，在所述绝缘物质表面沉积一覆盖层，所述第二淀积工艺为具有第一溅射率的高密度等离子化学气相淀积工艺；以及执行第三淀积工艺，在所述覆盖层表面沉积又一覆盖层，所述第三淀积工艺为具有第二溅射率的高密度等离子化学气相淀积工艺，所述第二溅射率高于第一溅射率。