| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种卓越的半导体器件及其制造方法，该方法减少了在化学机械极化(CMP)或蚀刻中由图样依赖性造成的工艺缺陷。该半导体器件包括：形成在衬底上或中的器件图样；以及形成在器件图样一侧的具有不同纵向截面区域的多个虚拟图样。具有相同平面尺寸但从三维结构的角度来看具有不同纵向截面区域的虚拟图样包括具有第一厚度的第一虚拟图样和具有比第一厚度大的第二厚度的第二虚拟图样。 | ||
| 申请公布号 | CN101383346A | 申请公布日期 | 2009.03.11 |
| 申请号 | CN200810135598.X | 申请日期 | 2008.09.05 |
| 申请人 | 东部高科股份有限公司 | 发明人 | 金完植 |
| 分类号 | H01L27/02(2006.01)I;H01L21/00(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I;H01L21/71(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 李丙林;张 英 |
| 主权项 | 1. 一种半导体器件，包括:器件图样，邻近衬底形成；以及多个虚拟图样，在所述器件图样的一侧形成，所述多个虚拟图样具有不同的纵向截面区域。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||