| 发明名称 | 一种利用稀磁半导体测量多量子阱耦合的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种利用稀磁半导体测量多量子阱耦合的方法，其特征在于利用稀磁半导体中的巨塞曼分裂，用平行于生长方向的磁场调控阱深或垒高，对耦合多量子阱进行测量。并以Zn<sub>0.8</sub>Cd<sub>0.2</sub>/ZnSe对称耦合三量子阱为例，在理论上对实验方案的有效性进行了验证。利用本发明提供的方法，有效地降低了样品制备的要求和工作量，提高了实验精度。 | ||
| 申请公布号 | CN101383305A | 申请公布日期 | 2009.03.11 |
| 申请号 | CN200710045700.2 | 申请日期 | 2007.09.07 |
| 申请人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明人 | 郭旭光;曹俊诚 |
| 分类号 | H01L21/66(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/66(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人 | 潘振甦 |
| 主权项 | 1、一种利用稀磁半导体测量多量子阱耦合的方法，其特征在于利用稀磁半导体的巨塞曼分裂，用平行于生长方向的磁场调控阱深或垒高，以测定耦合多量子阱能带结构的变化。 | ||
| 地址 | 200050上海市长宁区长宁路865号 | ||